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金融界2025年1月31日音讯，国度学问产权局信息表露，上海华虹宏力半导体制造有限公司恳求一项名为“半导体器件的造成手艺”的专利开云(中国)kaiyun网页版登录入口，公开号CN 119384033 A，恳求日历为2024年10月。

专利纲领表露，本发明提供一种半导体器件的造成手艺，包括：提供衬底；膨胀第一有源区的P阱离子注入；在第一有源区的衬底上造成第一栅极层；在第二有源区的衬底上造成第二栅极层；膨胀无掩膜N型漏极轻掺杂离子注入；澌灭光罩下膨胀第二有源区的N阱离子注入和P型漏极轻掺杂离子注入。在低成本、高性价比平台加工，将N阱离子注入与P型漏极轻掺杂离子注入共用澌灭光罩；在栅极层刻蚀之后，保留栅极层刻蚀后的光阻层情况下进行无掩模N型漏极轻掺杂离子注入，幸免栅极层被N型轻参杂离子注入打穿。纯粹了造成N阱和N型漏极轻掺杂这两谈工艺的光罩。保留两谈LDD离子注入工艺下，保证NMOS管的热载流子效应性能，裁汰了衬底走电流，通过可靠性测试。

天眼查贵寓表露，上海华虹宏力半导体制造有限公司，修复于2013年，位于上海市，是一家以从事计较机、通讯和其他电子开荒制造业为主的企业。企业注册成本2046092.7759万东谈主民币，实缴成本2046092.7759万东谈主民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标步地840次，学问产权方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还领有行政许可428个。

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